失效案例与 8D演示数据 · 为演示构造
失效案例是一等对象：12 条，其中 10 条可被检索（reviewed / approved；draft 永不可检索）。NCR 3 张，2 张未关闭。
NCR-2609-001 · WL-A-2609-02 CP 良率跌至 84.0%，BIN7 漏电占比升至约 7%，晶圆边缘环状失效
CP 测试 · 严重 · 根因分析 · WL-A-2609-02 · 林以宁（品质工程部）
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3/8 完成（38%） · 进行中 D4 根本原因
未满足闭合条件（11 处缺口）
- 状态为「根因分析」，须进入「效果验证」或「已关闭」
- D4 根本原因：进行中
- D4 根本原因：证据均未上传文件（待补件），只有带文件的证据才算
- D5 永久对策：未开始
- D5 永久对策：无证据
- D6 实施验证：未开始
- D6 实施验证：无证据
- D7 预防再发：未开始
- D7 预防再发：无证据
- D8 关闭表彰：未开始
- D8 关闭表彰：无证据
关联案例：FC-005
NCR-2609-002 · AL-B-2609-01 焊线后第一焊点键合脱落（NSOP），线拉力 IPQC 抽检不合格
封装 · 一般 · 围堵中 · AL-B-2609-01 · 周曼（供应商质量部）
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2/8 完成（25%） · 进行中 D3 临时围堵
未满足闭合条件（12 处缺口）
- 状态为「围堵中」，须进入「效果验证」或「已关闭」
- D3 临时围堵：进行中
- D4 根本原因：未开始
- D4 根本原因：无证据
- D5 永久对策：未开始
- D5 永久对策：无证据
- D6 实施验证：未开始
- D6 实施验证：无证据
- D7 预防再发：未开始
- D7 预防再发：无证据
- D8 关闭表彰：未开始
- D8 关闭表彰：无证据
NCR-2608-003 · 客户甲现场退回 12 颗点亮不良：COF 压接工位 ESD 损伤（RMA-2609-001）
终端应用 · 严重 · 已关闭 · SH-A-2608-01 · 林以宁（品质工程部）
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8/8 完成（100%）
满足闭合条件：八步完成，每步至少一条带文件的证据
关联案例：FC-010
失效案例库
按阶段：芯片设计 2 · 晶圆制造 2 · CP 测试 2 · 封装 3 · FT 测试 1 · 终端应用 2
| 编号 | 阶段 | 失效模式 | 机理 | 签名 | 来源 | 信任状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FC-001 | 芯片设计 | FT 高温（125℃）低压角功能失效：源驱动移位寄存器建立时间（setup）违例 | 设计裕量不足 | FT 高温 125℃ + VDD −5% 角 BIN3 功能失效占比 2–4%，常温与低温全部通过；失效 die 的 Fmax 搜索值比典型值低 6–8%；Shmoo 图在高温低压象限呈规则斜切边界；失效比例与晶圆工艺角强相关（WAT Vth_n 偏高的 SS 角晶圆失效集中） | 研发网脱敏导出 | approved |
| FC-002 | 芯片设计 | IO ESD 结构 HBM 耐压不足：高速 IO 在 HBM ±1.5 kV 失效，目标 ±2 kV | 静电放电 ESD | ESD HBM 测试（JESD22-A114）在 ±1.5 kV 即出现 IO 对 VSS 漏电 >1 µA，I-V 曲线呈软击穿；失效集中在复用型高速 IO（MIPI/SerDes 类），普通 GPIO 通过 ±2 kV；EMMI 热点位于二级钳位二极管与 ggNMOS 之间的金属连线；CDM ±500 V 通过 | 研发网脱敏导出 | approved |
| FC-003 | 晶圆制造 | 晶圆边缘环状区域 die 失效：金属刻蚀腔颗粒沾污 | 沾污 | wafer map 外缘 2–3 die 深的环带集中失效（CP BIN3/BIN9 混合），环带位置在同一 lot 各片一致且随刻蚀腔体分流；inline 缺陷检测在 M1 刻蚀后颗粒数由 <20/片跃升至 >200/片，颗粒分布与边缘环带重合；WAT 边缘 PCM 点 Rc（接触电阻）偏高、中心点正常 | Foundry 报表 | approved |
| FC-004 | 晶圆制造 | AEC-Q100 认证 HTOL 1000 h 后栅氧 TDDB 失效：栅氧厚度偏薄 | 栅氧击穿 TDDB | HTOL（125℃，VDD +10%）500 h 读点 2/231 失效、1000 h 读点 5/231 失效，失效模式为 VDD 对 VSS 漏电由 nA 级跃升至 mA 级；FA 剥层后在 eFlash 外围 1.2 V 核心逻辑区发现栅氧击穿点；同批 WAT 的 Tox（栅氧厚度）在 LSL 附近（−4%），Vth_n 偏低约 20 mV | 人工录入 | reviewed |
| FC-005 | CP 测试 | CP Bin 7 漏电偏移 + 晶圆边缘环状失效：后段钝化层颗粒沾污 | 沾污 | CP 良率由基线 93–95% 跌至约 85%；BIN7（IDD 待机漏电超限）占比由约 1% 升至 6–8%，BIN3/BIN5 基本不变；wafer map 失效集中在外缘约 2 die 深的环带，圆心区域正常，同 lot 各片签名一致；WAT 边缘 PCM 点 Ioff 偏高 2–3 倍、Vth_n 偏低约 15 mV，中心 PCM 点正常；复测（retest）失效不恢复，排除探针接触问题 | 人工录入 | approved |
| FC-006 | CP 测试 | 探针卡针痕偏移导致 BIN9 开短路误判 | 其他 | CP BIN9（开路/短路 continuity）占比在某一台探针台上由 <0.3% 突升至 3–5%，其他探针台正常；失效 die 在 map 上呈与探针卡 touchdown 布局一致的规则重复图形（如每个 4×4 die 阵列的固定角位）；针痕检查显示针痕偏离焊盘中心 >15 µm 并压到钝化层；复测（retest）后约 90% 恢复为良品 | 人工录入 | reviewed |
| FC-007 | 封装 | 铜线球焊第一焊点脱落（NSOP / ball lift） | 键合脱落 | 封装后开盖检查第一焊点脱落（NSOP，non-stick on pad），球剪切力 <5 gf、线拉力 <3 gf 的比例 3–6%，集中在固定焊线机台与劈刀寿命末期；SEM 显示焊盘铝层仅有轻微压痕、无 IMC（金属间化合物）形成；FT 表现为 BIN9 开路或 125℃ 高温下间歇开路 | OSAT 报表 | approved |
| FC-008 | 封装 | 载板与塑封体分层（MSL 3 预处理 + 回流后） | 分层 | MSL 3 预处理 + 3 次回流后 C-SAM（超声扫描）显示 die attach 层与载板阻焊层界面分层面积 >15%，分层沿载板边缘扩展；分层样品在温循（JESD22-A104，−55/125℃ 500 cyc）后出现焊球开路；载板批号集中在 SUB-01 某一批次，其吸湿率（TGA）偏高 | 人工录入 | reviewed |
| FC-009 | 封装 | 划片崩边（chipping）导致薄 die 边缘裂纹，COF 压接后扩展 | 芯片裂纹 | COF 封装后 FT 良率下降 1–2%，失效为 BIN9 开路或功能失效；失效 die 显微镜检查发现背面边缘崩边 >25 µm（规格 ≤15 µm）且裂纹向有源区延伸；崩边集中在晶圆特定方向的切割道，与刀片磨损方向一致；减薄至 150 µm 的薄 die 更敏感 | PLM | draft（不可检索） |
| FC-012 | FT 测试 | 车规 FT 高温（125℃）闩锁：IO 上电时序触发 latch-up | 闩锁 Latch-up | FT 热测（125℃）BIN3 功能失效占比 1.5–2%，常温 FT 通过；失效 die 复测时 VDD 电流在 IO 上电瞬间跳升至 >150 mA 并保持（典型闩锁电流特征），断电后恢复；失效集中在 CAN 收发接口 IO 组；JESD78 测试在 125℃ 时 I-test 触发电流仅 60 mA（规格 ≥100 mA）；与 FT 测试程序中 IO 偏置先于 VDD 上电的时序相关 | 人工录入 | reviewed |
| FC-010 | 终端应用 | 客户产线 ESD 损伤：COF 压接工位静电击穿 Source 输出 ESD 钳位管 | 静电放电 ESD | 客户模组贴合后点亮不良（局部竖线/黑屏），退回 12 颗；失效品 Source 输出引脚对 VSS 的 I-V 曲线呈 ESD 击穿特征（HBM 类损伤，漏电 >100 µA），EMMI 热点定位在输出 ESD 钳位管，FIB 截面见钳位二极管局部熔融；同出货批留样 HBM ±2 kV / CDM ±500 V 复测全部通过；失效时间窗与客户产线 COF 压接工位离子风机故障停机（3 天）的产出完全重合 | 客户端/现场 | approved |
| FC-011 | 终端应用 | 高电流电源轨线宽不足导致电迁移，出货 2 年后现场失效 | 电迁移 EM | 出货 20–26 个月后现场退回失效率逐月上升（累计约 300 ppm），失效为某电源域局部功能丢失；FA 发现 M3 电源轨在一处过孔阵列附近出现空洞（void）与小丘（hillock），线宽 1.2 µm、实际工作电流密度 2.3 mA/µm，超过 foundry EM 规则（1.5 mA/µm @110℃）；失效与客户应用的持续高负载模式（95% 占空比）强相关，Black 方程外推 MTTF 与现场失效时间一致 | 客户端/现场 | draft（不可检索） |
现场退回（RMA）
| RMA | 产品 | 出货批 | 客户 | 症状 | 状态 | NCR / 案例 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RMA-2609-001 | DEMO-DDIC-28 | SH-A-2608-01 | 客户甲 · 手机显示模组厂（合成） | 模组贴合后点亮不良，失效品 IO 引脚 I-V 曲线呈 ESD 击穿特征（HBM 类损伤），EMMI 定位在 Source 驱动输出 ESD 钳位管；客户产线 COF 压接工位离子风机失效，为产线静电损伤（FC-010） | closed | NCR-2608-003 / FC-010 |
| RMA-2609-002 | DEMO-MCU-40A | SH-B-2608-01 | 客户乙 · 车身域控制器 Tier-1（合成） | 整车台架 -40℃ 冷启动时间歇性复位，复位源寄存器记录为 BOR（欠压复位），常温复现率 <5%，电源纹波与 LDO 瞬态响应待复测；暂未定位到器件或板级原因 | analyzing | — / — |