FC-005 · CP Bin 7 漏电偏移 + 晶圆边缘环状失效：后段钝化层颗粒沾污演示数据 · 为演示构造
CP 测试 · 沾污 · DEMO-DDIC-28 · 2026-03-14 · 来源 人工录入 · approved
结构化字段
| 签名 | CP 良率由基线 93–95% 跌至约 85%；BIN7（IDD 待机漏电超限）占比由约 1% 升至 6–8%，BIN3/BIN5 基本不变；wafer map 失效集中在外缘约 2 die 深的环带，圆心区域正常，同 lot 各片签名一致；WAT 边缘 PCM 点 Ioff 偏高 2–3 倍、Vth_n 偏低约 15 mV，中心 PCM 点正常；复测（retest）失效不恢复，排除探针接触问题 |
|---|---|
| 根因 | FND-01 后段钝化层 CVD 腔体清洗周期延长后，腔壁剥落颗粒在晶圆边缘沉积，造成局部钝化层针孔，水汽/离子沾污引发边缘 die 栅极漏电上升；边缘位置与腔体气流分布一致 |
| 围堵 | 受影响 lot 扣留，按 map 环带位置 ink 掉边缘 die 并对剩余 die 加做 85℃ 高温 CP 筛选；FND-01 该腔体停机清洗并出颗粒验证片报告 |
| 纠正措施 | FND-01 恢复原清洗周期并增加腔壁颗粒 inline 监控点；连续 6 lot CP 良率回到 93% 以上、BIN7 占比回到 1% 以下后解除扣留 |
| 预防措施 | CP 规则引擎增加 BIN7 占比 >3% 与 wafer map 环状签名两条自动触发；foundry 控制计划增加钝化层颗粒数 KCC（≤30/片） |
| 标准 | JESD47、JESD22-A104、SEMI E10 |
| 标签 | Bin7、漏电、边缘环状、wafer map、沾污、钝化层、CP 良率下跌、WAT Ioff |
| 来源 NCR | — |
相似案例 规则生成 用模型重跑
| 编号 | 分数（仅排序） | 相似在哪里 |
|---|---|---|
| FC-003 | 0.48 | 文本相似 0.23（共有：cp、晶圆、圆边、边缘）；同机理 沾污 |
| FC-006 | 0.35 | 文本相似 0.10（共有：cp、偏移、失效、钝化）；同阶段 CP 测试 |
| FC-001 | 0.18 | 文本相似 0.08（共有：晶圆、失效、占比、6）；同产品 DEMO-DDIC-28 |
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