FC-003 · 晶圆边缘环状区域 die 失效：金属刻蚀腔颗粒沾污演示数据 · 为演示构造
晶圆制造 · 沾污 · 通用 · 2025-08-22 · 来源 Foundry 报表 · approved
结构化字段
| 签名 | wafer map 外缘 2–3 die 深的环带集中失效（CP BIN3/BIN9 混合），环带位置在同一 lot 各片一致且随刻蚀腔体分流；inline 缺陷检测在 M1 刻蚀后颗粒数由 <20/片跃升至 >200/片，颗粒分布与边缘环带重合；WAT 边缘 PCM 点 Rc（接触电阻）偏高、中心点正常 |
|---|---|
| 根因 | 金属刻蚀腔体 edge ring 耗材超寿命使用，边缘等离子鞘层变化导致聚合物副产物在晶圆边缘回落形成颗粒，引起 M1 接触孔局部开路/高阻 |
| 围堵 | 受影响 lot 按 map 环带位置 ink 掉边缘 die 并追加 CP 二次测试；该腔体停机更换耗材并做颗粒验证片 |
| 纠正措施 | foundry 将 edge ring 更换周期由 RF 小时数改为颗粒监控触发 + 固定周期双控；更换后连续 5 lot 边缘良率恢复至基线 |
| 预防措施 | foundry 报表增加「边缘环带失效占比」作为 lot 放行 KCC（≤0.5%）；本公司 CP 规则引擎增加 wafer map 环状签名检测 |
| 标准 | JESD47、SEMI E10 |
| 标签 | 沾污、颗粒、边缘环状、wafer map、刻蚀腔、edge ring、inline 缺陷、WAT Rc |
| 来源 NCR | — |
相似案例 规则生成 用模型重跑
| 编号 | 分数（仅排序） | 相似在哪里 |
|---|---|---|
| FC-005 | 0.48 | 文本相似 0.23（共有：晶圆、圆边、边缘、缘环）；同机理 沾污 |
| FC-004 | 0.29 | 文本相似 0.04（共有：失效、2、20、跃升）；同阶段 晶圆制造 |