FC-004 · AEC-Q100 认证 HTOL 1000 h 后栅氧 TDDB 失效：栅氧厚度偏薄演示数据 · 为演示构造
晶圆制造 · 栅氧击穿 TDDB · DEMO-MCU-40A · 2026-02-10 · 来源 人工录入 · reviewed
结构化字段
| 签名 | HTOL（125℃，VDD +10%）500 h 读点 2/231 失效、1000 h 读点 5/231 失效，失效模式为 VDD 对 VSS 漏电由 nA 级跃升至 mA 级；FA 剥层后在 eFlash 外围 1.2 V 核心逻辑区发现栅氧击穿点；同批 WAT 的 Tox（栅氧厚度）在 LSL 附近（−4%），Vth_n 偏低约 20 mV |
|---|---|
| 根因 | FND-02 栅氧生长炉管温控热电偶漂移，该批次核心器件栅氧厚度偏薄约 4%，TDDB 寿命按 E-model 外推下降一个数量级，不满足车规 15 年寿命要求 |
| 围堵 | 该 WAT 批次冻结不得用于车规出货；已封装的工程样品仅用于非车规评估；TH-01 加做 Vramp/TDDB 快速评估 |
| 纠正措施 | foundry 校准炉管热电偶并加严 Tox 的 WAT 规格（LSL 上调 2%）；重新投片 3 lot 完成 HTOL 1000 h 零失效，认证重新通过 |
| 预防措施 | Tox 与 Vth_n 列为 foundry 阶段 KPC 并接入 SPC（WECO 规则 1/2）；车规批次放行增加 WAT 全参数 Cpk ≥1.67 门槛 |
| 标准 | AEC-Q100 Grade 1、JESD22-A108 (HTOL)、JEP122、JESD35 (TDDB) |
| 标签 | TDDB、栅氧、HTOL、AEC-Q100、WAT Tox、车规认证、E-model |
| 来源 NCR | — |
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