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已采纳的KPC（风险 高）没有任何控制点指向它。规格：SS 角 / 125 ℃ / VDD 1.08 V 下关键路径 setup slack ≥ 5% 周期（≥ 0.31 ns @160 MHz）；MCMM 签核含 OCV 与 IR-drop 叠加角；建议 设计评审 · 全部设计项 · 每版本；该阶段尚无控制计划，需新建。

已采纳的KCC（风险 高）没有任何控制点指向它。规格：全部 GPIO / CAN / LIN 引脚 HBM ≥ 2 kV（AEC-Q100-002）、CDM ≥ 500 V（AEC-Q100-011），角引脚 CDM ≥ 750 V；ESD 钳位管与二级电阻按 IO 类型分档校核，TLP 曲线留 20% 裕量；建议 设计评审 · 全部设计项 · 每版本；该阶段尚无控制计划，需新建。

DFMEA 电源域 BOR / LDO 瞬态响应｜RPN 168（S8/O3/D7，中）尚无已采纳的控制点。建议 设计评审 · 全部设计项 · 每版本；规格：低温角仿真 LDO 负载阶跃；BOR 阈值增加滞回与去抖；FT -40 ℃ 档增加上电复位时序项。（该 FMEA 条目尚为 proposed，采纳控制点前请先确认条目）

DFMEA eFlash 阵列与读出放大器｜RPN 162（S9/O3/D6，中）尚无已采纳的控制点。建议 设计评审 · 全部设计项 · 每版本；规格：按 AEC-Q100 Grade 1 完成 10 万次 E/W + 150 ℃ 1000 h 数据保持鉴定；FT 增加 margin read 项。

DFMEA CPU 核关键路径时序（SS / 125 ℃ / 1.08 V）｜RPN 160（S8/O4/D5，中）尚无已采纳的控制点。建议 设计评审 · 全部设计项 · 每版本；规格：MCMM 签核增加 SS/125 ℃/1.08 V + OCV 角并留 ≥ 5% 周期裕量；FT 125 ℃ 档增加低压 Vmin 扫描。

设计裕量不足｜FT 高温 125℃ + VDD −5% 角 BIN3 功能失效占比 2–4%，常温与低温全部通过；失效 die 的 Fmax 搜索值比典型值低 6–8%；Shmoo 图在高温低压象限呈规则斜切边界；失效比例与晶圆工艺角强相关（WAT Vth_n 偏高的 SS 角晶圆失效集中）｜预防措施：签核 checklist 新增 OCV/IR-drop 联合角与 SS 晶圆 FT 相关性复核；NPI 预扫将「高温低压角建立裕量」列为设计阶段 KPC｜相似 0.26：文本相似 0.01（共有：设计）；同阶段 芯片设计

PFMEA 栅氧化（IO 器件 Tox_IO）｜RPN 162（S9/O3/D6，中）尚无已采纳的控制点。建议 WAT/PCM · 抽样 · 每批；规格：Tox_IO 纳入 WAT KPC 并建 SPC（SPC-B-TOX）；每批 12 片×5 点全测；超 LSL 批次 hold。

PFMEA 后段金属层光刻 / 刻蚀｜RPN 112（S7/O4/D4，中）尚无已采纳的控制点。建议 WAT/PCM · 抽样 · 每批；规格：缺陷扫描增加边缘 3 mm 环区单独限值；Foundry 出货报表带缺陷密度。

栅氧击穿 TDDB｜HTOL（125℃，VDD +10%）500 h 读点 2/231 失效、1000 h 读点 5/231 失效，失效模式为 VDD 对 VSS 漏电由 nA 级跃升至 mA 级；FA 剥层后在 eFlash 外围 1.2 V 核心逻辑区发现栅氧击穿点；同批 WAT 的 Tox（栅氧厚度）在 LSL 附近（−4%），Vth_n 偏低约 20 mV｜预防措施：Tox 与 Vth_n 列为 foundry 阶段 KPC 并接入 SPC（WECO 规则 1/2）；车规批次放行增加 WAT 全参数 Cpk ≥1.67 门槛｜相似 0.40：文本相似 0.05（共有：车规、aec、q100、1）；同阶段 晶圆制造；同产品 DEMO-MCU-40A

沾污｜wafer map 外缘 2–3 die 深的环带集中失效（CP BIN3/BIN9 混合），环带位置在同一 lot 各片一致且随刻蚀腔体分流；inline 缺陷检测在 M1 刻蚀后颗粒数由 <20/片跃升至 >200/片，颗粒分布与边缘环带重合；WAT 边缘 PCM 点 Rc（接触电阻）偏高、中心点正常｜预防措施：foundry 报表增加「边缘环带失效占比」作为 lot 放行 KCC（≤0.5%）；本公司 CP 规则引擎增加 wafer map 环状签名检测｜相似 0.26：文本相似 0.01（共有：晶圆）；同阶段 晶圆制造

已采纳的KCC（风险 高）没有任何控制点指向它。规格：对 IDDQ、Rds(on)、Vref 三项参数按片计算 ±6σ 动态限（AEC-Q001），规格内但超动态限的 die 判 BIN5 剔除；GDBN 邻域坏品 ≥ 5 时剔除中心 die；剔除率 > 2% 批次 hold 复核；建议 100% 测试 · 100% · 每片；加入控制计划 CPL-B-CP-01（v1，draft）。

PFMEA CP 参数测试与 PAT｜RPN 192（S8/O4/D6，中）尚无已采纳的控制点。建议 100% 测试 · 100% · 每片；规格：按 AEC-Q001 实施 DPAT（±6σ）与 GDBN；离群 die 判 BIN5；剔除率纳入批次报表。

PFMEA CP 探针卡接触｜RPN 100（S5/O4/D5，中）尚无已采纳的控制点。建议 100% 测试 · 100% · 每片；规格：探针卡每 5 万次触点做针痕与 Cres 检查；Bin 9 占比突升先复测再判。

沾污｜CP 良率由基线 93–95% 跌至约 85%；BIN7（IDD 待机漏电超限）占比由约 1% 升至 6–8%，BIN3/BIN5 基本不变；wafer map 失效集中在外缘约 2 die 深的环带，圆心区域正常，同 lot 各片签名一致；WAT 边缘 PCM 点 Ioff 偏高 2–3 倍、Vth_n 偏低约 15 mV，中心 PCM 点正常；复测（retest）失效不恢复，排除探针接触问题｜预防措施：CP 规则引擎增加 BIN7 占比 >3% 与 wafer map 环状签名两条自动触发；foundry 控制计划增加钝化层颗粒数 KCC（≤30/片）｜相似 0.27：文本相似 0.02（共有：1、cp）；同阶段 CP 测试

其他｜CP BIN9（开路/短路 continuity）占比在某一台探针台上由 <0.3% 突升至 3–5%，其他探针台正常；失效 die 在 map 上呈与探针卡 touchdown 布局一致的规则重复图形（如每个 4×4 die 阵列的固定角位）；针痕检查显示针痕偏离焊盘中心 >15 µm 并压到钝化层；复测（retest）后约 90% 恢复为良品｜预防措施：CP 规则引擎对 BIN9 增加「单探针台突升」与「规则重复图形」检测，提示优先怀疑测试硬件而非晶圆；复测率列为 CP 阶段 KCC｜相似 0.27：文本相似 0.02（共有：cp、测试）；同阶段 CP 测试

PFMEA 划片｜RPN 105（S7/O3/D5，中）尚无已采纳的控制点。建议 抽检 · AQL 0.65 · 每批；规格：崩边 ≤ 25 µm 100% AOI；刀片寿命管理与进给速度 SPC。

键合脱落｜封装后开盖检查第一焊点脱落（NSOP，non-stick on pad），球剪切力 <5 gf、线拉力 <3 gf 的比例 3–6%，集中在固定焊线机台与劈刀寿命末期；SEM 显示焊盘铝层仅有轻微压痕、无 IMC（金属间化合物）形成；FT 表现为 BIN9 开路或 125℃ 高温下间歇开路｜预防措施：封装控制计划增加「球剪切力 / 线拉力」每批首件 KPC（≥8 gf / ≥5 gf）与劈刀寿命 KCC；OSAT 报表须含劈刀更换记录｜相似 0.26：文本相似 0.01（共有：封装）；同阶段 封装

分层｜MSL 3 预处理 + 3 次回流后 C-SAM（超声扫描）显示 die attach 层与载板阻焊层界面分层面积 >15%，分层沿载板边缘扩展；分层样品在温循（JESD22-A104，−55/125℃ 500 cyc）后出现焊球开路；载板批号集中在 SUB-01 某一批次，其吸湿率（TGA）偏高｜预防措施：载板来料检验增加固化度与表面能 KCC；供应商审核增加固化炉温控记录核查；MSL 等级验证纳入封装变更（PCN）必做项｜相似 0.25：同阶段 封装

PFMEA FT 热头温控｜RPN 144（S8/O3/D6，中）尚无已采纳的控制点。建议 100% 测试 · 100% · 每批；规格：热头温度每班校验 ±3 ℃；浸泡时间 ≥ 2 min；FT 报表带实测温度字段。（该 FMEA 条目尚为 proposed，采纳控制点前请先确认条目）

闩锁 Latch-up｜FT 热测（125℃）BIN3 功能失效占比 1.5–2%，常温 FT 通过；失效 die 复测时 VDD 电流在 IO 上电瞬间跳升至 >150 mA 并保持（典型闩锁电流特征），断电后恢复；失效集中在 CAN 收发接口 IO 组；JESD78 测试在 125℃ 时 I-test 触发电流仅 60 mA（规格 ≥100 mA）；与 FT 测试程序中 IO 偏置先于 VDD 上电的时序相关｜预防措施：版图 latch-up 检查（guard ring 完整性）纳入 tapeout 必过项；FT 测试程序评审增加「上电时序与 latch-up 窗口」检查；JESD78 高温项列为车规 FT 阶段 KPC｜相似 0.39：文本相似 0.04（共有：车规、1、ft、测试）；同阶段 FT 测试；同产品 DEMO-MCU-40A

静电放电 ESD｜客户模组贴合后点亮不良（局部竖线/黑屏），退回 12 颗；失效品 Source 输出引脚对 VSS 的 I-V 曲线呈 ESD 击穿特征（HBM 类损伤，漏电 >100 µA），EMMI 热点定位在输出 ESD 钳位管，FIB 截面见钳位二极管局部熔融；同出货批留样 HBM ±2 kV / CDM ±500 V 复测全部通过；失效时间窗与客户产线 COF 压接工位离子风机故障停机（3 天）的产出完全重合｜预防措施：《COF 产品客户端 ESD 操作指引》增加压接工位离子风机点检与静电监控要求；客户产线 ESD 审核纳入年度客户技术支持计划；本案例作为现场 ESD 失效的签名模板入库｜相似 0.25：同阶段 终端应用