FC-009 · 划片崩边（chipping）导致薄 die 边缘裂纹，COF 压接后扩展演示数据 · 为演示构造
封装 · 芯片裂纹 · DEMO-DDIC-28 · 2026-07-08 · 来源 PLM · draft
结构化字段
| 签名 | COF 封装后 FT 良率下降 1–2%，失效为 BIN9 开路或功能失效；失效 die 显微镜检查发现背面边缘崩边 >25 µm（规格 ≤15 µm）且裂纹向有源区延伸；崩边集中在晶圆特定方向的切割道，与刀片磨损方向一致；减薄至 150 µm 的薄 die 更敏感 |
|---|---|
| 根因 | （待复核）划片刀片超寿命使用导致切割道背面崩边超标，后续 COF 内引线热压键合（ILB）应力使裂纹扩展至有源区；刀片更换记录与崩边抽检记录均缺失，尚未闭合 |
| 围堵 | 受影响 lot 100% 显微镜崩边检查，崩边 >15 µm 的 die 剔除；划片刀片强制更换并记录 |
| 纠正措施 | （待定）刀片寿命改由切割米数自动管控；评估激光开槽 + 刀片切割组合工艺 |
| 预防措施 | （待定）封装控制计划增加崩边尺寸每批抽检 KCC；薄 die 划片工艺参数列入 PCN 管控 |
| 标准 | JESD22-B110 (机械冲击)、SEMI G83 |
| 标签 | 划片、崩边、chipping、die crack、薄 die、COF、ILB |
| 来源 NCR | — |
相似案例 规则生成 用模型重跑
GEMINI_API_KEY 未配置：本次按确定性规则生成，未调用任何模型
| 编号 | 分数（仅排序） | 相似在哪里 |
|---|---|---|
| FC-007 | 0.31 | 文本相似 0.06（共有：封装、装后、ft、bin9）；同阶段 封装 |
| FC-008 | 0.30 | 文本相似 0.05（共有：die、边缘、扩展、开路）；同阶段 封装 |
| FC-005 | 0.17 | 文本相似 0.07（共有：die、边缘、良率、率下）；同产品 DEMO-DDIC-28 |
| FC-001 | 0.15 | 文本相似 0.05（共有：die、ft、2、失效）；同产品 DEMO-DDIC-28 |