FC-004 · AEC-Q100 认证 HTOL 1000 h 后栅氧 TDDB 失效:栅氧厚度偏薄演示数据 · 为演示构造

晶圆制造 · 栅氧击穿 TDDB · DEMO-MCU-40A · 2026-02-10 · 来源 人工录入 · reviewed

返回案例库
结构化字段
签名HTOL(125℃,VDD +10%)500 h 读点 2/231 失效、1000 h 读点 5/231 失效,失效模式为 VDD 对 VSS 漏电由 nA 级跃升至 mA 级;FA 剥层后在 eFlash 外围 1.2 V 核心逻辑区发现栅氧击穿点;同批 WAT 的 Tox(栅氧厚度)在 LSL 附近(−4%),Vth_n 偏低约 20 mV
根因FND-02 栅氧生长炉管温控热电偶漂移,该批次核心器件栅氧厚度偏薄约 4%,TDDB 寿命按 E-model 外推下降一个数量级,不满足车规 15 年寿命要求
围堵该 WAT 批次冻结不得用于车规出货;已封装的工程样品仅用于非车规评估;TH-01 加做 Vramp/TDDB 快速评估
纠正措施foundry 校准炉管热电偶并加严 Tox 的 WAT 规格(LSL 上调 2%);重新投片 3 lot 完成 HTOL 1000 h 零失效,认证重新通过
预防措施Tox 与 Vth_n 列为 foundry 阶段 KPC 并接入 SPC(WECO 规则 1/2);车规批次放行增加 WAT 全参数 Cpk ≥1.67 门槛
标准AEC-Q100 Grade 1、JESD22-A108 (HTOL)、JEP122、JESD35 (TDDB)
标签TDDB、栅氧、HTOL、AEC-Q100、WAT Tox、车规认证、E-model
来源 NCR—
相似案例 规则生成 用模型重跑
GEMINI_API_KEY 未配置:本次按确定性规则生成,未调用任何模型
编号分数(仅排序)相似在哪里
FC-0030.29文本相似 0.04(共有:失效、2、跃升、升至);同阶段 晶圆制造
FC-0120.16文本相似 0.06(共有:失效、125、vdd、2);同产品 DEMO-MCU-40A